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a.接觸式曝光(Contact Printing):掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來(lái)的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當(dāng),設(shè)備簡(jiǎn)單。接觸式,根據(jù)施加力量的方式不同又分為:軟接觸,硬接觸和真空接觸。
1.軟接觸 就是把基片通過(guò)托盤(pán)吸附住(類(lèi)似于勻膠機(jī)的基片放置方式),掩膜蓋在基片上面;
2.硬接觸 是將基片通過(guò)一個(gè)氣壓(氮?dú)猓?,往上頂,使之與掩膜接觸;
3.真空接觸 是在掩膜和基片中間抽氣,使之更加好的貼合(想一想把被子抽真空放置的方式)
軟<硬<真空 接觸的越緊密,分辨率越高,當(dāng)然接觸的越緊密,掩膜和材料的損傷就越大。
缺點(diǎn):光刻膠污染掩膜板;掩膜板的磨損,容易損壞,壽命很低(只能使用5~25次);容易累積缺陷;上個(gè)世紀(jì)七十年代的工業(yè)水準(zhǔn),已經(jīng)逐漸被接近式曝光方式所淘汰了,國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)均為接觸式曝光,國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)無(wú)法提供工藝要求更高的非接觸式曝光的產(chǎn)品化。
b.接近式曝光(Proximity Printing):掩膜板與光刻膠基底層保留一個(gè)微小的縫隙(Gap),Gap大約為0~200μm。可以有效避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷,使掩膜和光刻膠基底能耐久使用;掩模壽命長(zhǎng)(可提高10 倍以上),圖形缺陷少。接近式在現(xiàn)代光刻工藝中應(yīng)用*為廣泛。
c.投影式曝光(Projection Printing):在掩膜板與光刻膠之間使用光學(xué)系統(tǒng)聚集光實(shí)現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會(huì)以需要轉(zhuǎn)移圖形的4倍制作。優(yōu)點(diǎn):提高了分辨率;掩膜板的制作更加容易;掩膜板上的缺陷影響減小。
投影式曝光分類(lèi):
掃描投影曝光(Scanning Project Printing)。70年代末~80年代初,〉1μm工藝;掩膜板1:1,全尺寸;
步進(jìn)重復(fù)投影曝光(Stepping-repeating Project Printing或稱(chēng)作Stepper)。80年代末~90年代,0.35μm(I line)~0.25μm(DUV)。掩膜板縮小比例(4:1),曝光區(qū)域(Exposure Field)22×22mm(一次曝光所能覆蓋的區(qū)域)。增加了棱鏡系統(tǒng)的制作難度。
掃描步進(jìn)投影曝光(Scanning-Stepping Project Printing)。90年代末~至今,用于≤0.18μm工藝。采用6英寸的掩膜板按照4:1的比例曝光,曝光區(qū)域(Exposure Field)26×33mm。優(yōu)點(diǎn):增大了每次曝光的視場(chǎng);提供硅片表面不平整的補(bǔ)償;提高整個(gè)硅片的尺寸均勻性。但是,同時(shí)因?yàn)樾枰聪蜻\(yùn)動(dòng),增加了機(jī)械系統(tǒng)的精度要求。
原來(lái)四川光刻機(jī)的種類(lèi)都有那么多。